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二极管选型规范(仅供参考)

时间:2023-11-29 12:22:51 作者: 江南体育最新赛事消息 点击:1次

的介绍:

  

  通流能力增强:SMA通流能力达到2A;SMB通流能力到达4A;SMC通流能力达到5A;

  DPAK/D2PAK:对于200-400V整流二极管需求,能选用此类封装器件高度扁平化,另外能选用SMPC封装,通流能力更强。

  对于600V以上的二极管需求,主流推荐选用TO-220/TO-247封装

  微波开关利用PIN管在直流正-反偏压下呈现近似导通或断开的阻抗特性,实现了控制微波信号通道转换作用. PIN 二极管的直流伏安特性和PN结二极管是一样的,但是在微波频段却有根本的差别。由于PIN 二极I层的总电荷主要由偏置电流产生。而不是由微波电流瞬时值产生,所以其对微波信号只呈现一个线性电阻。此阻值由直流偏置决定,正偏时阻值小,接近于短路,反偏时阻值大,接近于开路。因此PIN 二极对微波信号不产生非线性整流作用,这是和一般二极管的根本区别,所以它很适合于做微波控制器件。

  因此,可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关(即微波开关)、移相、调制、限幅等电路中。

  普通的二极管由PN结组成。在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN 二极管。正因为有本征(Intrinsic)层的存在,PIN 二极管应用很广泛,从低频到高频的应用都有,主要用在RF领域,用作RF 开关和RF保护电路,也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN 二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。

  选用时主要考虑到PIN二极管射频特性参数与实际电路匹配,选择时可选择SOT、SOD等通用标准封装;另外Infineon将逐步退出二极管市场,新选型不予考虑。

  选用时主要考虑偏压范围及相应的容值,在使用时所提供的电压范围对应的变容比应满足规定的要求。对于频率发生器还要求在此电压范围内的电容变化线性要好。另外电压的变化不能超过器件的最大重复工作电压。

  1)选用时主要考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。

  一般情况下,VRWM=80%-85%VBR,对于VRWM的选择,通常要求VRWM不小于3倍的线)新选型禁止选用SMA/B/C封装,推荐选用SMA/B/C-FL(直引脚表贴封装),插件优选TO-220/TO237等封装,轴向插装的禁止选用

  整流二极管选用时主要考虑其最大整流电流、最大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数。普遍串联

  稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要依据电路的要求选择最大整流电流和最大反向工作电流符合标准要求的整流二极管即可,禁止选用Openjuction工艺的二极管,,禁止选择轴向插装的二极管。

  肖特基二极管选用时主要考虑最大整流电流、最大反向工作电流、封装、抗浪涌电流,优选表贴小型化封装,禁止选用轴向插装的二极管。

  开关二极管1)选用时主要考虑正向额定电流、反向重复工作电压、正向压降及开发过程中的损耗等参数

  对于半导体器件来说,使用时产生的结温与器件的可靠性有密切的关系,正常的情况下,结温每升高10-12摄氏度,器件的失效率要增加一倍。因此,在器件的选型时,应尽量选用热阻小,允许结温高的器件;应选择通过相同正向电流测得温升最小的器件。

  一般情况下,VRWM=80%-85%VBR,对于VRWM的选择,通常要求VRWM不小于3倍的线)正向压降VF与反向恢复时间Trr的选择

  对于开关二极管,影响二极管导通/截止(开关)速度的关键是由于非平衡载流子存储效应引起的反向恢复时间的存在。为了更好的提高二极管的开关速度,人们制造能高速导通与关断的二极管。除了对二极管图形来优化设计外,还在工艺中采用掺金等措施,引入深能级杂质,降低少子寿命,提高二极管的开关速度。

  1)SiC二极管很成熟的产品有600V(650V)和1200V档次,1700V SiC也在逐步推向市场,600V(650V)主要推荐选用DPAK封装,1200V推荐选用TO-220或者TO-2372)最早的SiC二极管是纯肖特基结构的,其优点是Vf值比较低,但是抗浪涌能力很差,器件长期可靠性风险高,后续SiC主流厂家Cree等陆续推出JBS(Junction Barrier Schottky)结构的SiC二极管,可以明显提高抗浪涌能力,提高器件长期可靠性能。尤其是在1200V SiC选型时,要格外的注意器件的抗浪涌性能是不是满足产品设计需求。目前拥有JBS结构的厂家主要有Wolfspeed(Cree)、Infinenon、Rohm(2016年底推出的产品)

  的器件2)在可能的情况下,选择低温度系数的器件,但不主张选用低温度系数的稳压二极管3)设计时,应考虑电压的容差,即电压的变化范围应尽可能的大

  管的最大钳位电压VCMAX不大于电路的最大允许安全电压,最大反向工作电压VRWM不大于电路的最大工作电压,一般可选择VRWM略大于电路工作电压。2)瞬态功率(电流)的选择:额定的最大脉冲功率必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率。在选择用于保护的TVS管时,设计人员要计算回路中的脉冲时间(如RC回路的脉冲时间tp大约等于R*C),以确定选用的TVS管的脉冲功率。TVS管的峰值脉冲功率与脉冲维持的时间有一定的关系,脉冲维持的时间越大,峰值脉冲功率越小,反之则越大。3)选用TVS管作为数据信号线的保护时,要考虑TVS管结电容对信号波形的影响,应选用小结

  件。另外也不应单独地强调减小电容,小电容的器件有一部分是以牺牲浪涌功率来获得的,在选用时应在结电容与浪涌功率两者间综合考虑。

  2.1. 额定电流额定整流电流IF指二极管长时间运行时,根据运行温升折算出来的平均电流值。目前上限功率整流二极管的IF值可达1000A。

  ,主要应思考功率器件。一般为各国广泛接受的安规认证类型有UL(北美)、CSA(加拿大)、TUV(德国)、VDE等2.11. 可靠性设计

  设计和热设计等来控制器件在整机中的工作条件,防止各种不适当的应力或者操作给器件带来损伤,从而最大限度地发挥器件的固有可靠性。2.11. 容差设计

  物料,简单核对技术参数就批量生产制造是不明智的行为。由于环境的不同,会出现TVS

  _应用 /

  原则 /

  的应用范围广,种类也很多,按照正向压降、反向耐压、反向漏电流等性能,特别是反向恢复特性的不同,介绍几种常用的电力

  指南 /

  ,具有正向电压低、反向电阻高等特点,因此在电子电路中存在广泛的应用。本文将详细的介绍如何明智的选择肖特基

  ,是一种半导体元件,大范围的应用于数码电路、模拟电路、电源和照明器材中。在进行

  ! /

  由此可知,东沃DSS110和DSS110-Q最大的区别是后者是车规级肖特基

  参数解读 /

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